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新聞日期:2024.05.24
歐盟委員會於2024年5月21日發布 Directive (EU) 2024/1416更新指令,更新附錄三豁免條款第39項有關鎘含量的豁免。
附錄三 編號
狀態
豁免內容
有效期限
39(a)
更新
用於顯示光源應用中的降頻鎘基半導體奈米晶體量子點中的硒化鎘 (鎘在每平方毫米的顯示螢幕區域小於0.2 μg)
所有類別均為
2025年11月21日
39(b)
新增
直接沉積在用於顯示和投影應用的LED半導體晶片上的降頻半導體奈米晶體量子點中的鎘(鎘在每平方毫米的LED晶片表面小於5 μg),每個設備的最大含量為1 mg
2027年12月31日
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參考資料:
Directive (EU) 2024/1416:https://eur-lex.europa.eu/legal-content/EN/TXT/?uri=CELEX%3A32024L1416
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